전영현 삼성전자 DS(디바이스솔루션) 부문장(부회장)이 반도체 부문 수장으로 복귀한 지 오는 21일로 1년을 맞습니다.

전 부회장은 지난해 5월 ‘원포인트’ 인사로 복귀한 직후, 삼성 반도체의 경쟁력 저하 원인을 내부에서 찾는 데 집중하며 조직문화 쇄신과 기술력 회복에 방점을 찍었습니다.

특히 작년 10월 3분기 실적 발표 직후에는 이례적으로 ‘반성문’을 공개하며, 기술 경쟁력 약화와 도전정신의 부재, 조직 내부 소통 부재 등을 반성하고, 반도체 고유의 토론 문화를 되살리겠다고 강조했습니다.

실제로 DS부문 전 임원이 참여한 토론회를 다섯 차례 열고, 실행 중심의 리더십과 조직 간 협력, 디테일 경영 등을 재차 강조했습니다.

이를 바탕으로 삼성전자는 메모리와 파운드리 양축 모두 조직 체질 개선과 기초 경쟁력 확보에 나서고 있습니다.

메모리 부문에서는 D램 설계 전문가로 꼽히는 전 부회장의 역량을 바탕으로 설계 인력을 다수 승진시키고, 고대역폭메모리(HBM) 개발팀을 신설하는 등 설계 역량 강화에 집중하고 있습니다.

삼성전자는 최근 HBM 5세대인 HBM3E 개선제품의 샘플을 공급한 데 이어 6세대 HBM4 개발과 공급에도 속도를 낼 방침입니다.

파운드리 1위인 대만 TSMC와의 반도체 매출 격차는 이미 10조원 이상 벌어진 상태입니다.

이에 삼성전자는 올해 양산이 시작될 2나노 공정을 필두로 전반적인 공정 완성도를 높여 고객 확보에 주력한다는 계획입니다.

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김수강(kimsookang@yna.co.kr)